Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N05NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N05NL
RFD16N05NL Hakkında
RFD16N05NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 16A sürekli dren akımı ve 50V dren-kaynak gerilimi ile çalışan bu komponent, 10V drive voltajında 47mOhm on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında 72W güç dağıtabilir. 900pF giriş kapasitansı ve 80nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol devreleri, DC motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör tasarımlarında tercih edilen bu MOSFET, aktif parça durumunda olup tedarik edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok