Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N05
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N05
RFD16N05 Hakkında
RFD16N05, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 16A sürekli dren akımı ve 50V dren-kaynak gerilimi ile tasarlanmıştır. 10V sürücü gerilimi altında 47mOhm maksimum kanal direnci sunarak düşük kayıplarla çalışma imkanı sağlar. TO-251-3 (I-PAK) paketinde üretilen bu komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Maksimum 72W güç dağıtabilmesi nedeniyle motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Gate yükü 80nC ve giriş kapasitesi 900pF olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok