Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N03LSM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N03LSM
RFD16N03LSM Hakkında
RFD16N03LSM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 25°C'de 16A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Metal Oxide FET teknolojisine dayanan tasarımı, düşük iç direnç ve hızlı anahtarlama karakteristikleri sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok