Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD16N02L
16A, 20V, 0.022 OHM, N-CHANNEL L
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD16N02L
RFD16N02L Hakkında
RFD16N02L, Rochester Electronics tarafından üretilen 16A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 22mΩ (5V, 16A) on-direnç (Rds) özellikleriyle düşük kayıp anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu FET, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 90W maksimum güç dağıtabilir ve 60nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 16A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok