Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD15N06LESM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD15N06LE
RFD15N06LESM Hakkında
RFD15N06LESM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 15A sürekli drain akımı (Id) değerleriyle çalışan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Metal Oxide (MOSFET) teknolojisine dayalı olan RFD15N06LESM, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Düşük RDS(on) değeriyle ısıl kayıpları minimalize ederek verimli çalışma sağlar. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok