Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD14N05SM9A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD14N05SM9A
RFD14N05SM9A Hakkında
RFD14N05SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 50V drain-source voltajına ve 14A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, düşük on-resistance (100mOhm @ 14A, 10V) ile karakterizedir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 48W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile sürülebilen bu FET, 40nC gate charge ve 570pF input capacitance değerlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok