Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD14N05SM_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RFD14N05SM

RFD14N05SM_NL Hakkında

RFD14N05SM_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum on-direnci (RDS(on)) ve 10V drive geriliminde çalışır. TO-252 (D-Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 48W güç tüketimine dayanıklıdır. Gate şarj değeri (Qg) 40nC ve giriş kapasitansi (Ciss) 570pF ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok