Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD14N05L

MOSFET N-CH 50V 14A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RFD14N05L

RFD14N05L Hakkında

RFD14N05L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürme geriliminde 100mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yerini bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışan kompanent, 40nC gate charge ve 670pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 48W güç tüketimi özelliğiyle termal yönetim açısından dikkat edilmesi gereken parametrelere sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok