Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD14N05L_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RFD14N05L

RFD14N05L_NL Hakkında

RFD14N05L_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 50V drain-source voltajında 14A sürekli drenaj akımı sağlayabilir ve maksimum 48W güç tüketebilir. 5V gate sürücü voltajında 100mΩ düşük kaçak dirençli tasarımı ile analog ve dijital devrelerde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) Through Hole paketinde sunulan bu MOSFET, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Motor kontrolü, DC-DC konvertörler, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 5V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok