Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD14N05

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
RFD14N05

RFD14N05 Hakkında

RFD14N05, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 50V drain-source gerilim ve 14A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu komponent, güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürü geriliminde tam açılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri ile verimli tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok