Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD12N06RL
RFD12N06RLESM9A Hakkında
RFD12N06RLESM9A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 63mOhm maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. 49W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Gate threshold voltajı 250µA'da 3V'tur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok