Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD12N06RLE
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD12N06RLE
RFD12N06RLE Hakkında
RFD12N06RLE, onsemi tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 63mOhm on-state direnci (Rds(on)) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 40W güç tüketimini yönetebilir. 15nC gate charge değeri hızlı anahtarlama süresi ile kontrollü devreleri mümkün kılar. Uygulamada 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde maksimum Rds(on) değerleri belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok