Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFD10P03LSM
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFD10P03LSM
RFD10P03LSM Hakkında
RFD10P03LSM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 200mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 30nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Mobil elektronikler, güç yönetimi devreler, motor sürücüler ve batarya şarj sistemlerinde kullanılmaktadır. Maksimum gate-source eşik voltajı 2V'dir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1035 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok