Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RFD10N05SM

10A, 50V, N-CHANNEL,

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RFD10N05SM

RFD10N05SM Hakkında

RFD10N05SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 50V Drain-Source gerilimi ve 10A akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. Metal Oxide (MOSFET) teknolojisi ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, LED sürücülerinde ve voltaj dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Düşük on-state direnci ve hızlı anahtarlama özelliği ile verimli devre tasarımlarına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok