Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFB18N10CSVM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFB18N10CSVM
RFB18N10CSVM Hakkında
RFB18N10CSVM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-5 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 10V gate sürme geriliminde 100mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate eşik gerilimi 4V olup, 20nC gate yüküne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-5 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok