Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFB18N10CS
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB-5
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFB18N10CS
RFB18N10CS Hakkında
RFB18N10CS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-220-5 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı devrelerinde kullanılır. Entegre akım algılama (current sensing) özelliği ile güç seviyesi kontrolüne destek sağlar. 100mΩ maksimum açık durum direnci (RDS On) ve 20nC gate yükü ile verimli çalışma sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 79W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-5 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok