Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RFA100N05E
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-5
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFA100N05E
RFA100N05E Hakkında
RFA100N05E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı ve 50V drain-source gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. TO-218-5 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ve 240W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile geniş kullanım yelpazesi sunar. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımlarına kolaylıkla entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-5 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-218-5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok