Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RF6E065BNTCR

MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
RF6E065BN

RF6E065BNTCR Hakkında

RF6E065BNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 6.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarından orta güç devrelerine kadar çeşitli elektronik tasarımlarda kullanılır. 15.3mOhm (10V, 6.5A) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TUMT6 SMD paket formatında sunulan bu transistör, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol gerilim aralığında çalışabilir. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında ve 910mW güç yayılımında güvenli işletme sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TUMT6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok