Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RF6E045AJTCR

MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
RF6E045AJ

RF6E045AJTCR Hakkında

RF6E045AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 23.7mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V gate sürüş geriliminde çalışan bu bileşen, anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolü devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 6-SMD yüzey montajı paketinde sunulan RF6E045AJTCR, 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında ve 1W güç dissipasyonunda çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.7mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok