Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF6C055BCTCR
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF6C055B
RF6C055BCTCR Hakkında
RF6C055BCTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj, 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve düşük akım uygulamalarında kullanılır. 25.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. Surface mount TUMT6 paketinde sunulan bu FET, elektrik güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve LED sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok