Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4L070BGTCR
NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4L070B
RF4L070BGTCR Hakkında
RF4L070BGTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 7A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-dirençli (27mOhm @ 10V) tasarımı ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-pin PowerUDFN paketinde sunulan komponent, yüksek entegrasyon gerektiren kompakt devre tasarımlarında yer alır. Anahtarlama hızı, kapı yükü (7.6nC) ve giriş kapasitansı (460pF) özellikleri ile motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -20V ile +20V arasında kapı voltajında çalışabilen cihaz, 150°C' ye kadar junction sıcaklığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok