Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4L055GNTCR
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4L055G
RF4L055GNTCR Hakkında
RF4L055GNTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 43mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerUDFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -40°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok