Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4L040ATTCR
PCH -60V -4A POWER, DFN2020, MOS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4L040AT
RF4L040ATTCR Hakkında
RF4L040ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. DFN2020 (6-PowerUDFN) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, -60V drain-source voltajına ve 4A sürekli drain akımına sahiptir. 89mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Vgs(th) 2.5V @ 1mA olup, ±20V gate-source voltaj toleransı vardır. 17.3nC gate charge ve 850pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Güç yönetimi, motor sürücü kontrolü, anahtarlama kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 89mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok