Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4G100BGTCR
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4G100BG
RF4G100BGTCR Hakkında
RF4G100BGTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 14.2mΩ on-resistance (Rds On) değeriyle DC-DC konvertörleri, güç dağıtım sistemleri ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. 8-pin PowerUDFN (DFN2020-8S) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. ±20V gate-source gerilim toleransı ve düşük gate charge (10.6nC) sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020-8S |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok