Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4G060ATTCR
PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 6-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4G060AT
RF4G060ATTCR Hakkında
RF4G060ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET'idir. 40V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu transistör, DFN2020 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 40mΩ maksimum on-resistance (Vgs=10V, Id=6A) değeri ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source gerilimi aralığı ve 17.2nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi, pil şarj sistemleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok