Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4E100AJ
RF4E100AJTCR Hakkında
RF4E100AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source voltajında 10A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (12.4mΩ @ 10A, 4.5V) ile anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırır. 4.5V gate drive voltajında çalışacak şekilde tasarlanmıştır. Surface mount HUML2020L8 paketinde sunulan bu transistör, SMPS (Switched Mode Power Supply), DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve yüksek hızlı anahtarlama gerektiren devre uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 13nC gate charge ve 1460pF input kapasitans değerleriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok