Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4E080BNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4E080BN
RF4E080BNTR Hakkında
RF4E080BNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 17.6mOhm on-resistance değeri ile verimliliği artırır. 4.5V ve 10V gate sürüş voltajlarında çalışır. Surface mount HUML2020L8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.6mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok