Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4E075ATTCR
MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4E075AT
RF4E075ATTCR Hakkında
RF4E075ATTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük gate charge (22nC) ve minimum Rds(on) değeri (21.7mOhm @ 7.5A, 10V) ile karakterizedir. 8-PowerUDFN yüzey montajlı pakette sunulan RF4E075ATTCR, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük kontrolü sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen ve maksimum 2W güç tüketebilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.7mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok