Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4E070GNTR
RF4E070GNTR Hakkında
RF4E070GNTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 7A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 21.4mOhm maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 4.5V ve 10V sürüş voltajlarında çalışmaya uygun olup, 2.5V threshold voltajına sahiptir. 8-PowerUDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.4mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok