Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4E060AJ
RF4E060AJTCR Hakkında
RF4E060AJTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerUDFN yüzey montajlı paketinde sunulmuş olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. Gömülü sistemler, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok