Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4C100B
RF4C100BCTCR Hakkında
RF4C100BCTCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 1.8V sürüş geriliminde 15.6mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli çalışma sağlar. 8-pin PowerUDFN yüzey montaj paketi küçük form faktörlü tasarımlar için uygundur. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve pil şarj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında, 2W güç disipasyonu kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.6mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok