Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerUDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF4C050A
RF4C050APTR Hakkında
RF4C050APTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET'tir. 20V Drain-Source voltaj ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 26mOhm maksimum on-direnci (RDS(on)) sayesinde düşük güç kaybında çalışır. Surface mount 8-PowerUDFN paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, anahtar devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -150°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında 2W güç yayabilir. Hızlı switching özellikleri ve düşük gate charge karakteristiğiyle verimli devre tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerUDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | HUML2020L8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok