Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RF1S9640SM9A

11A, 200V, 0.5OHM, P-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RF1S9640SM9A

RF1S9640SM9A Hakkında

RF1S9640SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen 200V P-Channel güç MOSFET'idir. 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış olup, 500mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 125W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 10V sürüş voltajında çalıştırılır ve 90nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok