Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S9630SM
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S9630SM
RF1S9630SM Hakkında
RF1S9630SM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 25°C'de 6.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Metal Oxide (MOS) teknolojisine dayanan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında ve güç denetim devrelerinde kullanılır. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan RF1S9630SM, güç amplifikatörleri, DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok