Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S9530
-12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S9530
RF1S9530 Hakkında
RF1S9530, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 12A sürekli drenaj akımı ve 100V drain-source gerilimi ile çalışır. 0.3Ω (300mOhm @ 6.5A, 10V) düşük açık direnci sayesinde güç uygulamalarında minimum enerji kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 4V (@250µA) olup, ±20V maksimum gate gerilimi ile çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir işletme sunar ve maksimum 75W güç dissipasyonuna sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılan güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok