Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S70N06
MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S70N06
RF1S70N06 Hakkında
RF1S70N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 70A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu komponent, TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde sunulmaktadır. 14mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 150W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan RF1S70N06, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerinde, motor kontrol devrelerinde ve power management sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok