Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S640SM
MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S640SM
RF1S640SM Hakkında
RF1S640SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 180mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan RF1S640SM, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılır. 64nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiğini gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok