Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S640
18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S640
RF1S640 Hakkında
RF1S640, Rochester Electronics tarafından üretilen 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 0.180Ω (10A, 10V'de) düşük on-direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtar devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar ve 125W maksimum güç dağılımına dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok