Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S630SM9A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S630SM9A
RF1S630SM9A Hakkında
RF1S630SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'dir. 200V drain-source gerilim ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V sürücü geriliminde 400mΩ RDS(on) değerine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilim aralığı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında motor kontrol, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve yük anahtarlaması devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok