Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S540
28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S540
RF1S540 Hakkında
RF1S540, Rochester Electronics tarafından üretilen 28A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile çalışan bu bileşen, düşük 77mOhm (10V gate geriliminde 17A'da) anahtarlama direncine ve 59nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan RF1S540, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 150W güç dağılımı kapasitesine ve ±20V maksimum gate gerilim sınırına sahiptir. Hızlı anahtarlama işlemleri ve düşük iletim kaybı gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok