Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S530SM9A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S530SM9A
RF1S530SM9A Hakkında
RF1S530SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlara uygundur. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok