Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S50N06SM9A
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S50N06SM
RF1S50N06SM9A Hakkında
RF1S50N06SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 50A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 22mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 131W maksimum güç saçıtma kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. Gate charge değeri 150nC @ 20V ve input capacitance değeri 2020pF @ 25V'tur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolünde, DC-DC converterlerde ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 131W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok