Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S50N06LESM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S50N06LE
RF1S50N06LESM Hakkında
RF1S50N06LESM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığına ve 142W maksimum güç dağılımına sahiptir. 5V drive voltajında çalışır ve 120nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 142W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok