Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S50N06
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S50N
RF1S50N06 Hakkında
RF1S50N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 50A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlayarak verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konverterler ve ağır akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve maksimum 131W güç saçabilir. Gate charge değeri 150nC olup, hızlı anahtarlama gerekli olan uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 131W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok