Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S4N100SM9A
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S4N100SM
RF1S4N100SM9A Hakkında
RF1S4N100SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen 1000V N-Channel MOSFET transistördür. TO-263AB (D²Pak) yüzey montajlı kasa ile sunulan bu bileşen, 4.3A sürekli drain akımı ve maksimum 150W güç harcaması kapasitesine sahiptir. 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler ve LED sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve 4V gate eşik voltajı ile kontrol kolaylığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok