Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RF1S45N06SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RF1S45N06SM

RF1S45N06SM Hakkında

RF1S45N06SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 45A sürekli drain akımı ve 60V drain-source gerilim değerleriyle güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. Metal Oxide FET teknolojisi ile üretilen RF1S45N06SM, düşük on-resistance karakteristiği sayesinde ısıl kaybı minimize ederek verimli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Supplier Device Package TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok