Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S45N02LSM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S45N02LSM
RF1S45N02LSM Hakkında
RF1S45N02LSM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 45A sürekli drain akımı kapasitesi ve 20V drain-source gerilim ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Metal Oxide yarıiletken teknolojisine dayalı olarak geliştirilmiş bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirmek için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok