Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S40N10SM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S40N10SM
RF1S40N10SM Hakkında
RF1S40N10SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim aralığında 40A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. MOSFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük on-state direnci ve verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok