Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S30P06SM9A
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S30P06SM
RF1S30P06SM9A Hakkında
RF1S30P06SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 30A sürekli dren akımı ve 60V dren-kaynak gerilimi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 65mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlı güç kaynakları ve LED sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 135W maksimum güç dağılımı kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer bulması sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok