Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S30P06SM
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S30P06SM
RF1S30P06SM Hakkında
RF1S30P06SM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 60V drain-source gerilim dayanımına ve 30A sürekli drenaj akımına sahiptir. Metal oksit teknolojisine dayanan bu FET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılan yüksek akımlı anahtarlama görevleri için tasarlanmıştır. Surface mount yapısı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok